氮化铝粉是一种由氮和铝元素组成的无机非金属材料，化学式为AlN，属于重要的功能陶瓷原料。这种白色或灰白色粉末在常温下稳定，具有出色的导热系数（约320W/m·K），甚至超过某些金属材料，这使其成为电子封装领域的理想散热介质。需要特别注意的是，氮化铝粉的绝缘性能同样突出，体积电阻率可达10¹⁴Ω·cm，完美解决了导热与绝缘的矛盾需求。
从微观结构来看，氮化铝粉的晶体属于六方纤锌矿结构，这种特殊排列使其具备低热膨胀系数(4.5×10⁻⁶/℃)的特性，与硅芯片的热膨胀匹配度极佳。在制备过程中，粉末粒径通常在0.5-10μm范围可调，比表面积控制在3-5m²/g，这些参数直接影响着后续烧结制品的致密度。目前主流生产工艺包括直接氮化法和碳热还原法，前者将铝粉在1200-1400℃氮气氛围中反应，后者则通过氧化铝与碳在1600℃以上反应制得。
在应用层面，氮化铝粉主要用作制备高性能陶瓷基板，特别是大功率LED、IGBT模块等电子元器件的散热基板。随着5G基站建设加速，其在高频器件封装中的应用需求正快速增长。值得注意的是，该材料在烧结时需要添加少量氧化钇等烧结助剂（通常1-3wt%），以降低烧结温度（1700-1900℃）并提升致密度。加工后的氮化铝陶瓷制品相对密度可达理论值的98%以上，抗弯强度维持在300-400MPa水平。
相比传统氧化铝陶瓷，氮化铝材料虽然在成本上高出2-3倍，但其导热性能提升约8倍，这种显著优势正在推动消费电子、新能源汽车等领域的技术升级。最新研究还发现，通过表面改性处理的氮化铝粉体（如硅烷偶联剂处理）能显著改善其在聚合物基体中的分散性，这为开发高导热塑料开辟了新途径。随着第三代半导体器件的发展，氮化铝粉作为关键配套材料，其市场前景值得期待。
