导电铜箔是一种以高纯度铜为原料制成的片状导电材料，其纯度通常达到99.9%以上（Cu≥99.9%）。这种特殊处理的铜材经过压延工艺形成厚度在3μm至105μm之间的超薄金属箔，表面经过粗化处理后呈现独特的毛面结构。在电子工业领域，导电铜箔因其优异的导电性（电阻率≤0.0165Ω·mm²/m）和延展性（延伸率≥3%）成为不可替代的基础材料。
需要特别关注的是导电铜箔在印刷电路板(PCB)制造中的核心作用。作为电子元器件的信号传输载体，其表面粗糙度Ra值控制在0.3-0.8μm范围内，这种微观结构能确保与基材的良好结合力。随着5G通信和新能源汽车的发展，高频高速铜箔（传输损耗≤0.8dB/inch@10GHz）和超薄铜箔（厚度≤6μm）的需求量正在快速增长，这要求铜箔必须具备更稳定的介电性能（Dk≤3.5@1MHz）。
导电铜箔的生产工艺主要包括电解法和压延法两种。电解铜箔（ED铜箔）通过电解沉积形成，具有成本优势但力学性能稍逊；而压延铜箔（RA铜箔）经热轧-冷轧多道工序制成，其抗拉强度可达350MPa以上。近年来复合铜箔技术取得突破，采用高分子材料（如PET）为基材的复合铜箔在保持导电性的同时，重量减轻了60%以上，这为消费电子产品轻薄化提供了新的解决方案。
在材料特性方面，优质导电铜箔需要同时满足多项技术指标。除了基本导电性能外，抗剥离强度（≥0.8N/mm）和耐热性（288℃焊锡测试不剥离）决定其在高温环境下的可靠性。创新型的低轮廓铜箔（LP铜箔）通过特殊结晶工艺，使表面结晶粒径控制在5μm以内，这种微观结构能显著减少高频信号传输时的趋肤效应损耗。
随着电子设备向高频化、小型化发展，导电铜箔也在持续演进。纳米孪晶铜箔通过控制晶体取向，使导电率提升15%的同时强度增加50%；而石墨烯复合铜箔则利用二维材料的高迁移率特性，将高频传输损耗降低30%。这些新型导电材料正在推动从智能手机到卫星通信等各领域的技术革新，预计到2025年全球高端铜箔市场规模将突破150亿美元。
