三碲化二铟是一种具有特殊电学性质的半导体化合物，化学式为In₂Te₃。它属于III-VI族化合物半导体材料，因其独特的能带结构(直接带隙约1.0eV)和优异的光电特性，在红外探测器和太阳能电池领域展现出重要应用价值。这种材料在室温下表现出n型半导体特性，其载流子迁移率可达200cm²/Vs，显著高于许多传统半导体材料。
从晶体结构来看，三碲化二铟通常以层状六方晶系存在，这种特殊的层状排列使其具有各向异性的物理性质。需要重点关注的是它的热电性能，特别是塞贝克系数可达到-200μV/K，这使其成为潜在的热电转换材料。在制备方法上，分子束外延(MBE)和化学气相沉积(CVD)是获得高质量单晶薄膜的主要技术手段。
实际应用中，三碲化二铟因其在3-5μm中红外波段的高灵敏度，被广泛用于制作非制冷型红外探测器。近年来研究还发现，通过掺杂调控(如掺入过渡金属元素)，可以显著改善其载流子浓度(可达10¹⁹cm⁻³)和稳定性，这为开发新型自旋电子器件提供了可能。值得注意的是，这种材料在极端环境下仍能保持稳定性能，工作温度范围可达-200至300℃。
