三碲化二铟作为重要的半导体材料，主要存在两种晶体结构形式，需要特别关注其α相与β相的区别。α相在室温下呈现层状六方结构（空间群P63/mmc），以其优异的热电性能著称；而β相则在高温下形成立方结构（空间群Fm3m），具备特殊的电子输运特性。相变温度约在673K附近，这个临界点对于材料应用至关重要。
从制备方法来看，化学气相沉积法（CVD）和分子束外延法（MBE）是获得高质量薄膜的主流技术，特别是MBE法能精确控制原子层厚度（精度达0.1nm）。值得注意的是，通过掺杂工艺可以改变其电学性能，常见掺杂元素包括锡（载流子浓度10¹⁷-10¹⁹cm⁻³）和锗（迁移率300-500cm²/V·s），这使得材料可适配不同器件需求。
在应用分类方面，块体材料主要用于热电转换器件（ZT值0.8-1.2），而薄膜形态更适合制备红外探测器（响应波长3-5μm）。近年来出现的纳米线结构（直径20-100nm）因其量子限域效应，在新型光电器件领域展现出独特优势。
纯度等级也是重要分类维度，电子级纯度（99.999%）与光伏级（99.99%）在缺陷密度方面相差两个数量级。需要重点关注的是，不同晶向生长（如[001]与[110]）会导致载流子迁移率产生30%以上的差异，这是器件设计时不容忽视的关键参数。
