氧化铟是一种重要的无机化合物，化学式为In₂O₃，通常呈现淡黄色粉末状。这种材料在半导体工业中具有特殊地位，特别是在透明导电薄膜领域表现出卓越性能。其带隙宽度3.55-3.75eV的特性使其在可见光区具有良好透光性，同时又能保持较高的电导率，这种独特组合使得氧化铟成为触摸屏、液晶显示器等电子元件的关键材料。
从晶体结构来看，氧化铟属于立方晶系，空间群为Ia3，这种结构决定了其优异的稳定性。需要特别注意的是，纯氧化铟本身导电性有限，但通过掺杂锡元素(形成ITO薄膜)可显著提高导电性(电阻率可低至10⁻⁴Ω·cm)。这种掺杂改性后的材料在太阳能电池、智能窗等领域展现出广阔应用前景，特别是其在保持90%以上透光率的同时实现低电阻的特性，是其他材料难以替代的。
制备氧化铟的方法多种多样，包括喷雾热解法、磁控溅射法和溶胶-凝胶法等。其中直流反应磁控溅射法因其成膜均匀性好、附着力强而成为工业界主流工艺。随着柔性电子器件的发展，研究人员正在开发低温制备工艺(通常低于150℃)，以实现在塑料基板上的高质量沉积，这对未来可折叠设备的制造至关重要。
在性能参数方面，高质量的氧化铟薄膜需要平衡多个指标。除了前面提到的透光率和电阻率外，薄膜厚度(通常控制在100-300nm)、表面粗糙度(Ra<10nm)以及热稳定性(可承受300℃以上退火)都是需要严格控制的参数。这些特性共同决定了最终产品的显示效果和使用寿命，特别是在高分辨率显示应用中，任何微小的性能偏差都可能导致明显的质量缺陷。
随着可持续发展理念的深入，氧化铟的回收利用也日益受到重视。由于铟属于稀有金属(地壳丰度约0.1ppm)，从废弃电子产品中回收氧化铟不仅具有经济价值，更是资源战略的重要环节。当前湿法冶金和真空蒸馏等技术都能实现较高回收率(>85%)，这为保障产业链稳定提供了重要支撑。
