二碲化锰是一种无机化合物，化学式为MnTe₂，由锰元素(Mn)和碲元素(Te)组成。这种黑色结晶固体属于过渡金属二硫属化物家族，具有独特的层状结构，其中锰原子夹在两层碲原子之间形成三明治结构。在半导体材料研究领域，二碲化锰因其特殊的电子结构和磁学性质而备受关注，特别是在自旋电子学应用中展现出潜在价值。
从晶体结构来看，二碲化锰主要存在两种晶型：六方相和单斜相。六方相(空间群P6₃/mmc)是更常见的稳定相，其层间距约0.62nm；而单斜相则需要特定制备条件才能获得。需要特别注意的是，这种材料的电学性质对制备条件极为敏感，通过控制合成温度(通常在400-600℃范围)可以调节其导电类型，实现从p型到n型的转变。
在物理性质方面，二碲化锰展现出多项有趣特征。它的禁带宽度约1.3eV，属于窄带隙半导体；居里温度约60K，在低温下表现出反铁磁性。特别值得关注的是其反常霍尔效应，这在自旋相关的输运研究中具有重要意义。近年来，研究人员发现通过元素掺杂(如掺入3%的铬)可以显著增强其磁阻效应，这为开发新型磁敏器件提供了可能。
当前二碲化锰的主要应用集中在两个方面：一是作为自旋阀器件的关键组成部分，利用其自旋极化特性；二是作为红外探测材料，得益于其合适的禁带宽度。在制备方法上，化学气相传输法(CVT)是最常用的技术，可获得高质量单晶，而分子束外延(MBE)则更适合制备超薄膜。随着纳米材料技术的发展，二碲化锰量子点的制备也取得突破，其发光波长可调范围覆盖700-900nm。
