二碲化钼是一种具有特殊层状结构的过渡金属二硫族化合物，化学式为MoTe2。这种材料属于二维材料家族，与石墨烯类似但展现出更丰富的电子特性。在自然界中，二碲化钼以1T(三方晶系)和2H(六方晶系)两种主要相态存在，其中2H相具有半导体特性(带隙约1.0eV)，而1T相则表现出金属性。
需要重点关注二碲化钼在电子器件领域的应用潜力，特别是其可调控的电子结构和突出的光电性能。研究表明，通过施加应变或电场，可以实现1T相与2H相之间的可逆转变，这种相变特性使MoTe2成为相变存储器和可重构器件的理想候选材料。在77K低温下，2H-MoTe2还表现出奇特的量子限域效应和激子发光特性。
从制备工艺来看，二碲化钼可通过化学气相沉积(CVD)、分子束外延(MBE)等方法获得高质量薄膜。工业级制备时通常采用碲化钼粉末(纯度99.99%)作为前驱体，在氩气保护下进行高温反应。最新研究发现，通过控制生长温度(650-800℃)和碲蒸气分压，可以精确调控产物的相组成和结晶质量。
除了基础研究价值，二碲化钼在实际应用方面展现出多重优势。其载流子迁移率可达200-500cm²/Vs，优于传统半导体材料。在柔性电子领域，MoTe2薄膜在弯曲半径3mm条件下仍能保持稳定性能，这使得它在可穿戴设备中具有独特优势。值得注意的是，这种材料对近红外光(波长900-1600nm)具有特殊响应，为开发新型光电探测器开辟了新途径。
随着纳米加工技术的进步，二碲化钼异质结器件性能持续提升。通过原子层沉积(ALD)技术可制备出厚度精确到单原子层的MoTe2薄膜，其表面粗糙度(RMS)可控制在0.2nm以下。当前研究热点集中在利用其拓扑绝缘体特性开发低功耗自旋电子器件，以及探索在量子计算中的潜在应用。
