二碲化钼作为新兴的二维半导体材料，其国内产地分布与钼矿资源密切相关。目前我国主要的二碲化钼原料产地集中在三大钼矿带：河南栾川地区(保有储量约300万吨)、陕西金堆城(亚洲最大露天钼矿)以及吉林大黑山钼矿(品位0.08%-0.12%)。这些矿区不仅提供优质辉钼矿原料，近年还陆续建成了一批高纯度二碲化钼晶体生长基地。
需要特别关注的是福建三明和江西赣州两个新兴产区，依托当地完善的半导体产业链，已形成从钼精矿(Mo≥51%)到化学气相沉积(CVD)薄膜的完整生产体系。其中三明产区的6N级(纯度99.9999%)二碲化钼单晶在载流子迁移率(>100cm²/V·s)方面表现突出，正逐步成为光电传感器件的核心材料供应地。
在制备工艺方面，云南昆明和湖南株洲的科研院所通过改良气相输运法(VT)，成功将二碲化钼薄膜的生长温度降低至650℃(传统方法需850℃)，这不仅降低了能耗，更大幅提升了薄膜的均匀性(Ra<0.5nm)。目前这些技术已开始向内蒙古包头等新兴材料基地转移，未来可能改变国内产业格局。
值得注意的是，虽然我国二碲化钼原料产能充足，但高端应用领域仍依赖进口。江苏苏州和广东深圳的多家量子点显示企业，其使用的超薄二碲化钼(厚度<3nm)有60%以上需要从日韩进口，这说明在材料纯度和缺陷控制方面还存在提升空间。
