钼带是一种由高纯度钼（Mo含量≥99.95%）轧制而成的带状材料，具有银灰色金属光泽，因其优异的耐高温性能（熔点2610℃）和热膨胀系数低（4.8×10^-6/K）的特性，在高温工业领域占据重要地位。不同于普通金属材料，钼带在1600℃高温环境下仍能保持结构稳定性，这使得它成为真空炉发热体、蓝宝石长晶炉隔热屏等关键部件的首选材料。
从生产工艺来看，钼带通常采用粉末冶金法制备，先通过等静压成型得到钼坯，再经多道次热轧（1100-1400℃）和冷轧工序加工成厚度0.02-3mm不等的带状产品。根据应用场景差异，可分为普通钼带（表面粗糙度Ra≤1.6μm）和抛光钼带（表面粗糙度Ra≤0.8μm），后者主要用于对表面光洁度要求严格的半导体设备。值得注意的是钼带的宽度规格跨度较大，常见的有50mm、100mm、200mm等，特殊需求可定制宽度达600mm的超宽幅产品。
在实际应用中，钼带展现出多方面的性能优势。除了突出的高温强度外，其导热系数（138W/m·K）约为不锈钢的5倍，配合适中的电阻率（5.34×10^-8Ω·m），非常适合作电热元件。在太阳能电池板镀膜工序中，0.1mm厚度的精密钼带能承受持续电流密度15A/mm²的工况，使用寿命可达普通加热元件的3倍以上。同时需要注意钼带在400℃以上易氧化的特性，使用时需配合氢气或真空保护气氛。
随着新能源和半导体产业的发展，钼带的需求呈现专业化趋势。光伏行业偏向使用0.2mm厚度钼带（纯度99.97%）作为P型硅片背电极，而LED外延片生产则更青睐0.05mm超薄钼带（平面度≤0.1mm/m）作为衬底材料。近年来出现的钼镧合金带（La2O3含量0.5%-1.2%）进一步提高了再结晶温度，使工作温度上限提升至1800℃，在单晶硅生长炉中的应用比例正逐年上升。
