蒸发铝线是一种通过真空蒸发工艺在基材表面沉积铝层形成的导电材料，广泛应用于电子元器件和半导体领域。其核心在于将高纯度铝（99.99%）在真空环境下加热至气态，随后在陶瓷、玻璃或硅片等基材上凝结成微米级薄膜。这种工艺能实现0.1-5μm的厚度控制，且方阻值可低至0.1Ω/□（厚度1μm时），同时保持优异的光反射率（可见光波段≥85%）。
与传统的电镀或压延铝箔相比，蒸发铝线具有三大独特优势：首先其无应力沉积特性避免了机械加工导致的晶格缺陷，特别适合柔性基板应用；其次真空环境彻底隔绝氧化，单次成膜纯度远超大气环境工艺；最重要的是能通过掩膜技术直接形成精密电路图案（线宽可达20μm），省去了蚀刻工序。这些特点使其成为LED芯片键合线、薄膜太阳能电池背电极以及射频识别标签天线的首选材料。
在生产过程中需要重点关注蒸发源的温度控制（通常维持在1200-1500℃），特别是铝丝进给速度与真空度（10⁻³Pa级）的匹配关系，任何波动都会导致薄膜出现针孔或厚度不均。现代设备通过电子束蒸发（加速电压20-30kV）配合离子辅助沉积技术，能将沉积速率提升至50nm/s以上，同时显著增强薄膜附着力（划格法测试达5B级）。
随着微型化趋势发展，蒸发铝线技术正在向低温工艺（＜150℃）和复合镀层方向演进。例如采用铝镁合金（Mg含量2-5%）可提升薄膜延展性，而通过交替沉积氧化铝钝化层（Al₂O₃厚度10-20nm）则能有效抑制电迁移现象。这些创新使得蒸发铝线在5G滤波器、MicroLED显示等新兴领域持续拓展应用边界。
