碲化铟是由碲(Te)和铟(In)两种元素组成的III-VI族化合物半导体材料，化学式为In₂Te₃。这种灰色至黑色晶体在自然界中较为罕见，主要通过人工合成获得，其晶体结构属于立方晶系(a=18.44Å)或六方晶系，具体形态取决于制备条件。
值得关注的是碲化铟独特的电学特性，特别是其窄带隙特性(约0.96eV)使其在红外探测领域具有重要应用价值。该材料在室温下呈现n型半导体特性，载流子浓度可达10¹⁷cm⁻³量级，电子迁移率约1000cm²/V·s，这些参数使其在特殊光电转换场景中表现优异。
在实际应用中，碲化铟薄膜通常采用分子束外延(MBE)或化学气相沉积(CVD)方法制备，特别是当需要获得高质量单晶薄膜时，分子束外延技术能精确控制薄膜厚度至原子层级。需要注意沉积温度(通常300-400℃)和碲铟比例对最终产物性能会产生关键影响。
除了光电领域，碲化铟在相变存储器研发中也展现出潜力，这得益于其快速相变特性(纳秒级)和良好的数据保持能力。近年研究发现，通过掺杂调控(如掺入锑或铋)可进一步优化其相变温度(150-250℃)和电阻变化幅度，为新一代存储技术提供了可能。
从安全角度来看，处理碲化铟时需要特别注意防护措施，因为其分解可能产生有毒的碲化物蒸汽。实验室操作建议在通风橱中进行，并配备适当的防护装备，包括防毒面具和化学防护手套，这是确保实验安全的重要环节。
