氢氧化铟是一种重要的无机化合物，化学式为In(OH)₃，由铟元素与氢氧根离子结合形成。这种白色粉末状物质在常温下稳定，但加热至约150℃时会开始脱水转化为氧化铟(In₂O₃)。作为铟的重要前驱体，氢氧化铟在半导体、显示面板和太阳能电池等领域具有广泛应用价值，特别是在制备透明导电氧化物(ITO)薄膜时发挥着关键作用。
从物理性质来看，氢氧化铟的密度约为4.3g/cm³，具有典型的层状氢氧化物结构。其纳米颗粒形态(粒径20-50nm)通常表现出更高的反应活性，这对后续加工工艺尤为重要。值得注意的是，氢氧化铟的溶解度积常数(Ksp)约为10⁻³⁶，这种极低的溶解度使其在溶液中容易形成胶体，这也是制备均匀薄膜时需要特别注意的技术难点。
在制备方法上，工业上主要采用液相沉淀法，通过调节pH值(最佳范围为7-9)使铟盐溶液中的In³⁺离子与OH⁻结合沉淀。随着纳米技术的发展，水热合成法因能精确控制晶体形貌(如纳米棒、纳米片等)而越来越受重视。需要特别关注的是反应温度(通常80-200℃)和反应时间(2-24小时)对产物结晶度和粒径分布的显著影响。
应用方面，氢氧化铟最大的价值在于经过适当热处理后可以转化为高性能的氧化铟材料。在显示技术领域，掺锡氧化铟(ITO)靶材的制备就以此为起点。随着柔性电子器件的发展，研究人员正探索将氢氧化铟纳米线与聚合物复合，开发具有优异透光率(>90%)和导电性(电阻率<10⁻³Ω·cm)的新型透明电极材料。
储存氢氧化铟时需要注意防潮，因其容易吸收空气中的二氧化碳导致纯度下降。实验级产品通常采用真空包装，工业级则多使用防潮铝箔袋。随着5G和物联网时代对透明导电材料需求的爆发式增长，氢氧化铟作为关键功能材料的前体，其产业重要性正在持续提升，特别是在大尺寸触控面板和新型光伏电池领域的应用前景备受期待。
