三碲化二铟(In₂Te₃)作为重要的半导体材料，其全球生产布局呈现出明显的资源与技术双重导向特征。目前该材料的核心产区集中在东亚和北美地区，特别是日本日立化成(Hitachi Chemical)与住友金属矿山(Sumitomo Metal Mining)占据了全球高端制备工艺的领先地位，这两家企业通过化学气相沉积法(CVD)生产的超高纯度(99.999%)产品广泛应用于红外探测器和相变存储器领域。
需要重点关注中国近年来在江西和湖南建立的提纯基地，依托本地丰富的铟矿资源(约占全球储量的72%)，采用区域熔炼法(zone refining)已能稳定产出99.99%纯度的工业级产品。特别值得注意的是韩国LG化学在庆尚北道的生产基地，其独创的溶液法合成工艺使得载流子迁移率突破450cm²/V·s，这种技术路线显著降低了晶体缺陷密度。
北美地区的生产主要集中在加拿大5N Plus和美国的Indium Corporation，这两个老牌企业通过真空蒸馏技术控制硫族杂质含量在0.1ppm以下。德国弗莱堡的AXT公司则采用垂直梯度凝固法(VGF)生长单晶，其(111)晶向的晶圆片在X射线探测器领域具有不可替代性。随着光伏和量子点显示需求的增长，马来西亚和新加坡新建的MBE(分子束外延)设备集群正在成为新兴的生产力量。
