三碲化二铟是一种重要的半导体材料，化学式In₂Te₃，由铟（In）和碲（Te）元素按特定比例化合而成。这种化合物通常呈现黑色晶体或粉末状，具有独特的电学特性，在红外探测、热电转换等领域展现出重要价值，特别是其窄带隙特性（约0.9-1.0eV）使其能有效响应中远红外波段。
从晶体结构来看，三碲化二铟属于立方晶系，空间群为Fd3m(227号)，其晶格常数约为18.4Å。需要重点关注的是该材料具有本征缺陷结构，这种特殊的空位排列使其成为典型的P型半导体，载流子浓度可达10¹⁸-10¹⁹cm⁻³范围。正是这种自发形成的缺陷特性，使其无需掺杂即可获得稳定的电学性能。
在制备工艺方面，三碲化二铟主要通过布里奇曼法或气相传输法生长单晶。通过精确控制碲分压（通常在10⁻³-10⁻²atm范围）可以获得化学计量比准确的材料。值得注意的是，该化合物在600℃以上会出现分解，因此高温处理时需要特别注意环境控制，特别是在退火工艺中要严格控制温度和时间参数。
实际应用中，三碲化二铟因其优异的热电性能（ZT值约0.8）被广泛用于温差发电器件。同时，其较高的量子效率（约60%@5μm）使其成为中红外探测器的重要候选材料。近年来还发现该材料在相变存储器领域具有潜在应用价值，其非晶态与晶态之间显著的电阻差异（约10⁴倍）为新一代存储器开发提供了可能。
