在半导体和光电材料领域选择优质三氧化二铟(In2O3)时，需要重点关注品牌的工艺成熟度与产品纯度指标，特别是应用于透明导电膜(ITO)制备时。美国阿尔法埃莎(Alfa Aesar)的5N级(99.999%)高纯粉末在学术界具有良好口碑，其粒径分布D50(1-3μm)和比表面积(5-15m²/g)参数稳定，适合精密镀膜工艺。
德国默克(Merck)的纳米级三氧化二铟表现突出，其特殊水热法制备的20-50nm粒径产品具有优异的分散性，在柔性显示领域应用广泛。值得注意日本日矿金属(Nippon Mining)的靶材级产品，其密度可达理论值的99.8%(7.18g/cm³)，氧空位浓度控制在10¹⁷-10¹⁸cm⁻³范围内，特别适合磁控溅射工艺。
国内厂商中，湖南稀土金属材料研究院的4N5级(99.995%)产品性价比突出，其电阻率可稳定在10⁻³Ω·cm量级，批次一致性控制在±5%以内。对于实验室小批量需求，可以考虑国药化学试剂的分析纯级别，虽然纯度仅3N(99.9%)，但重金属杂质含量符合ASTM E146标准。
选购时需根据应用场景权衡参数，光伏组件通常要求Sb掺杂浓度0.5-2wt%，而触控面板更关注可见光透过率(>85%@550nm)。建议优先选择提供ICP-MS(电感耦合等离子体质谱)检测报告的供应商，并验证其灼烧失重(LOI)是否低于0.2%。
